ROHM bringt ein neues Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite für SiC-MOSFETs auf den Markt, das eine hohe Wärmeableitung mit Hochspannungsfähigkeit verbindet

15.06.2026

KYOTO, Japan, 15. Juni 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat das TSC3PAK-Gehäuse (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) für SiC-MOSFETs entwickelt. Durch den Einsatz einer Wärmeableitungsstruktur an der Oberseite, bei der die Wärmeableitungsfläche auf der Oberseite des Gehäuses angeordnet ist, ermöglicht das neue Produkt eine automatisierte Bestückung und erreicht dabei eine Wärmeableitungsleistung, die mit der herkömmlicher Durchsteckgehäuse (TO-247-4L) vergleichbar ist. Dies trägt zu einer höheren Effizienz und Zuverlässigkeit in Stromwandlerschaltungen für Bordladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren bei, die in xEVs (Elektrofahrzeugen) zum Einsatz kommen.

Produktübersicht – Seite zum TSC3PAK-Paket: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices/sic-mosfet?page=1&PS_PackageShortCode=TSC3PAK#parametricSearch 

Abbildungen: Produktmerkmale

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Bei xEVs erstreckt sich der Einsatz von SiC-Bauelementen mittlerweile nicht mehr nur auf Hauptwechselrichter, sondern umfasst auch Stromumwandlungsschaltungen wie On-Board-Ladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren, um die Ladegeschwindigkeit zu erhöhen und die Reichweite zu verlängern.

Bauteile mit Durchsteckmontage erfordern manuelle Montageprozesse, und aufgrund ihrer Bauform ist es schwierig, ein flacheres Gehäuseprofil zu erzielen. SiC-Bauelemente für die Oberflächenmontage, die für die automatisierte Bestückung geeignet sind, finden zunehmend Verbreitung. Um diese Probleme zu lösen, bietet das neue TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit der von Durchstecktechnologien wie TO-247 vergleichbar ist – und das in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse.

Das neue Gehäuse verfügt über die von ROHM entwickelte Rillenstruktur, die eine große Kriechstrecke von 6,66 mm gewährleistet. Dadurch ist es in der Lage, eine Wechselstrom-Spitzenspannung von 1200 V in einer Umgebung der Verschmutzungsklasse 2 zu bewältigen und gleichzeitig die Kompatibilität mit marktüblichen Produkten zu gewährleisten.

Produkte, die das neue Gehäuse verwenden, sind mit SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM ausgestattet und zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie schnelle Schalteigenschaften aus. Dadurch werden die Schaltverluste bei der Stromumwandlung deutlich reduziert, was zu einer höheren Anwendereffizienz und einem geringeren Stromverbrauch beiträgt.

Die Serienproduktion begann im Juni 2026. Weitere Informationen finden Sie auf der Kontaktseite der ROHM-Website.

Abbildungen: Produktpalette

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Anwendungsbeispiele

– Automobiltechnik: Bordladegeräte (OBCs), elektrische Kompressoren

– Industrieausrüstung: PV-Wechselrichter, Server-Netzteile

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-06-09_news_tsc3pak&defaultGroupId=false 

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202606030283-O1-iA2h7u9F.pdf 

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202606030283/_prw_PI3fl_r8DUbz72.jpg 

Offizielle Website: https://www.rohm.com/

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Streit um unbegrenzte Datentarife: Oberverwaltungsgericht kassiert Kölner Urteil

15.06.2026

Im Streit um die Behandlung sogenannter Heavy User im Mobilfunk hat das nordrhein-westfälische Oberverwaltungsgericht (OVG) die Bundesnetzagentur vorläufig in die Schranken gewiesen. Die Bonner Aufsichtsbehörde hatte einem bundesweit tätigen Mobilfunkanbieter untersagt, Kunden mit unbegrenztem oder sehr großem Datenvolumen bei überlasteten Funkzellen mit geringerer Priorität zu bedienen. Diese Form der sogenannten Depriorisierung darf nach der einstweiligen OVG-Entscheidung vorerst weiter angewendet werden. Der Beschluss im Eilverfahren ist nicht anfechtbar.

Nach Auffassung des 13. Senats ist derzeit offen, ob die entsprechende Vertragsklausel des Anbieters mit europäischem Recht vereinbar ist. Im Kern geht es um die Frage, ob eine nachrangige Behandlung von Vielnutzern eine nicht gerechtfertigte Ungleichbehandlung von Kunden darstellt. Bevor in der Hauptsache entschieden wird, will das OVG Münster den Europäischen Gerichtshof (EuGH) um eine Vorabentscheidung bitten. Damit wird der Konflikt um Datenpriorisierung und Netzmanagement auf die europäische Ebene verlagert.

Gegenstand des Verfahrens ist insbesondere, ob der Datentransport datenintensiver Anwendungen wie hochauflösendem Videostreaming während einer Netzüberlastung eingeschränkt oder verlangsamt werden darf. Der betroffene Mobilfunkanbieter sieht dies in seinen Allgemeinen Geschäftsbedingungen vor, um Kapazitäten in ausgelasteten Funkzellen zu steuern. Die Bundesnetzagentur hatte angeordnet, dass diese Klausel nicht umgesetzt werden darf und damit faktisch einen Riegel vor entsprechende Maßnahmen gegen Heavy User geschoben.

In der Vorinstanz hatte sich die Bundesnetzagentur noch durchgesetzt: Das Verwaltungsgericht Köln hatte die Position der Behörde bestätigt. Das OVG änderte diese Entscheidung nun (Az. 13 B 1232/25) und gab dem Anbieter im Eilverfahren Recht. Mit der geplanten Vorlage an den EuGH dürfte der Fall Signalwirkung für die Auslegung europäischer Vorgaben zur Gleichbehandlung von Internetverkehr und zu den Spielräumen der Netzbetreiber beim Umgang mit stark belasteten Mobilfunkzellen entfalten.